西乡DIO5110双自举12v内置过温保护MOSFET驱动器

西乡DIO5110双自举12v内置过温保护MOSFET驱动器，传播延迟为25ns，转换时间为30ns，高低侧驱动器可以驱动3000pf 负载。在宽工作电压范围内，高低侧 mosfet 栅驱动电压可以达到效率。DIO5110内部自适应不重叠电路通过防止两个电路同时导通进一步降低了开关损耗。两个门输出可以通过应用低逻辑电平输出禁用(en)引脚驱动低。低电压锁定功能，确保两个驱动器输出低时，电源电压低，热关机功能提供过温保护IC.

DIO5110内置过温保护MOSFET驱动器特征：

1.自举高侧传动装置

2.峰值电源电流大为4.0

3.多合一同步降压驱动器

4.宽电压范围从5.5 v 到13.2 v

5.欠压锁定功能；超温关机功能

6.一个 pwm 信号产生两个驱动器

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