DIO1280具有30V过压保护内置100V浪涌吸收管芯片

DIO1280具有30V过压保护内置100V浪涌吸收管芯片当输入电压超过OVP阈值时，可关闭内部FET。也会在130℃时关闭设备（典型。）DIO1280的关断状态电流（<1µA值）有助于满足待机要求 功率要求。DIO1280采用完全“绿色”兼容的1.3mm x 1.8mm晶圆级芯片级封装（WLCSP），带有背面层压板。DIO1280内部钳位能够分流>100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统稳健性。

DIO1280内置100V浪涌吸收管芯片特征：

1.+/-100V EOS保护 

2.浪涌保护 IEC 61000-4-5:>100V

3.61000-4-2空气放电：>15kV IEC

4.过电压保护（OVP）；超温保护（OTP） 

5.静电放电防护 IEC ：负电压保护（-30V）

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