DIO82611快充65W具有3A灌电流氮化镓大功率芯片

DIO82611快充65W具有3A灌电流氮化镓大功率芯片采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制， DIO82611低启动100μA大功率GAN快充芯片不仅具备匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。DIO82611大功率GAN快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。

DIO82611氮化镓大功率芯片特征：

1.9.5V驱动钳位电压

2.兼容高压侧或低压侧整流

3.低待机电流：300μA（Typ.）

4.启动电流：100μA（Typ.）

5.MOSFET VDS采样耐压高达230 V

6.支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑

7.自适应小Toff时间，提高抗噪能力

8.栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力

9.开关频率： –DIO82612 为800 kHz –DIO82611为1MHz4、宽VIN范围：5~30V