DIO82612高频同步整流全新一代GaN快充方案

DIO82612高频同步整流全新一代GaN快充方案，DIO82612 GAO效率的大电流充电产品市场爆发，DIO82612同步整流芯片基于氮化镓第三代功率半导体(GaN)的小体积充电适配器在品牌机型上的应用日益广泛，并有走向全机型普及的趋势。DIO82612同步整流芯片为实现高频化和充电功率密度的持续提升，需要突破开关电源原边控制和副边同步整流的关键技术。同时，随着高频条件下变压器铁芯材料、漏电损耗、开关损耗的不断改进，GaN充电适配器的效率和原边控制器的开关频率将进一步提升，变压器的体积也将进一步小型化，DIO82612同步整流芯片当开关频率达到MHz级时，主流65W以上 GaN充电器也将拓展至ACF构架，搭配MHz级别的副边同步整流芯片将成为主流选择。

DIO82612提供可简化设计的集成功能，可在各种应用和频率中发挥出色的性能。DIO82612具备GAO效率特性，满足能源之星 (Energy Star) VI级和行为准则 (CoC) 2级等严格能效标准，非常适用于极小体积的中大功率GaN快充应用场景。

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