深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片

深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片适用30-65W快充方案,DIO82612采用MHz级高频同步整流，适用于当前火热的氮化镓（GaN）大功率快充应用，DIO82612同步整流芯片采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制，不仅具备完全匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。DIO82612同步整流芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。

DIO82612同步整流芯片PD快充方案特性：

1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑

2、MOSFET VDS采样耐压高达230 V

3、开关频率：

–DIO82612 为 800 kHz

–DIO82611为1MHz

4、宽VIN范围：5~30V

5、栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力

6、自适应ZUI小Toff时间，提高抗噪能力

7、兼容高压侧或低压侧整流

8、低启动电流：100μA（Typ.）

9、低待机电流：300μA（Typ.）

10、关断传播延迟：20ns（Typ.）

11、9.5V驱动钳位电压

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