DIO82612同步3A整流大功率快充GaN芯片交期保障

DIO82612同步3A整流大功率快充GaN芯片交期保障应用采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制，不仅具备匹配QR和ACF系统的高兼容性，DIO82612同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。DIO82612快充应用利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB，PD快充解决方案。

DIO82612同步3A整流大功率快充GaN芯片特征：

1.低启动电流：100μA（Typ.）

2.低待机电流：300μA（Typ.）

3.DIO82612开关频率800 kHz

4.MOSFET VDS采样耐压高达230 V

5.自适应小Toff时间，提高抗噪能力

6.支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑

7.栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力

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