宝安DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片

宝安DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制， DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片不仅具备匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。

DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。

DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片特征：

1.9.5V驱动钳位电压

2.兼容高压侧或低压侧整流

3.低待机电流：300μA（Typ.）

4.低启动电流：100μA（Typ.）

5.MOSFET VDS采样耐压高达230V

6.支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑

7.自适应Toff时间，提高抗噪能力

8.栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力

9.开关频率： –DIO82612 为800 kHz 宽VIN范围：5~30V

宝安DIO82612具有3A耐压230V氮化镓大功率快充芯片，支持24小时技术，IC品种多，品质多，交期快，原装。