DIO82611高频同步低启动100μA大功率GAN快充方案
2023-01-12 来自: 深圳市凯特瑞科技有限公司 浏览次数:53
DIO82611低启动100μA适用于当前氮化镓(GaN)大功率快充应用,采样独有的专利技术:快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制, DIO82611低启动100μA大功率GAN快充芯片不仅具备匹配QR和ACF系统的高兼容性,同时更适于深度CCM模式,增强了安全工作稳定性。
DIO82611大功率GAN快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计,有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。
1.9.5V驱动钳位电压
2.兼容高压侧或低压侧整流
3.低待机电流:300μA(Typ.)
4.低启动电流:100μA(Typ.)
5.MOSFET VDS采样耐压高达230 V
6.支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑
7.自适应小Toff时间,提高抗噪能力
8.栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力
9.开关频率: –DIO82612 为800 kHz –DIO82611为1MHz4、宽VIN范围:5~30V
DIO82611高频同步低启动100μA大功率GAN快充方案,原装现货。