深圳大功率GaN快充方案同步整流DIO82612芯片凯特瑞
2022-03-07 来自: 深圳市凯特瑞科技有限公司 浏览次数:17
深圳大功率GaN快充方案同步整流DIO82612芯片适用30-65W快充案,DIO82612采用MHz级高频同步整流,适用于当前火热的氮化镓(GaN)大功率快充应用,DIO82612同步整流芯片采样独有的专利技术:快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制,不仅具备完全匹配QR和ACF系统的高兼容性,同时更适于深度CCM模式,增强了安全工作稳定性。DIO82612同步整流芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计,有助于客户快速实现更小尺寸、不同功率等级的USB PD快充解决方案。
DIO82612同步整流芯片PD快充方案特性:
支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑
MOSFET VDS采样耐压高达230 V
开关频率:DIO82612 为 800 kHz
宽VIN范围:5~30V
栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力 深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片
自适应ZUI小Toff时间,提高抗噪能力
兼容高压侧或低压侧整流
低启动电流:100μA(Typ.)
低待机电流:300μA(Typ.
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